MEMÓRIA RAM CLANM 8GB 3200MHZ DDR4 CL19
MEMÓRIA RAM CLANM 8GB 3200MHZ DDR4 CL19
Especificações:
Latência: CL19
Fonte de alimentação: VDD = 1,2V
VDDQ = 1,2V
VPP = 2,5 V
VDDSPD = 2,2 V a 3,6 V
Terminação nominal e dinâmica na matriz (ODT) para sinais de dados, estroboscópicos e de máscara
Autoatualização de baixo consumo (LPASR)
Inversão de barramento de dados (DBI) para barramento de dados
Geração e calibração de VREFDQ na matriz
Rank único
EEPROM I2 de detecção de presença serial (SPD) integrada
16 bancos internos; 4 grupos de 4 bancos cada
Corte de rajada (BC) fixo de 4 e comprimento de rajada (BL) de 8 via conjunto de registradores de modo (MRS)
BC4 ou BL8 selecionável em tempo real (OTF)
Topologia fly-by
Barramento de endereço e comando de controle terminado
PCB: Altura 31,25 mm
Compatível com RoHS e livre de halogênio
Com dissipador de calor na cor branca
